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X-NANDテクノロジーが特許取得、SLCスピードのQLCフラッシュ
(画像提供:NEO Semiconductor)
昨年開催されたバーチャルFlash Memory Summit 2020で、NEO SemiconductorsのCEO、アンディ・スー氏は、より高速でより高度なデータ転送を実現する革新的なNAND技術を発表しました。X-NANDと呼ばれるこの技術は、当時はまだプレゼンテーション段階でしたが、本日、ついに同社が設計を承認し、特許を取得しました。
X-NANDテクノロジーは、NEO Semiconductor社が開発したNANDメモリ開発における革新的なアプローチです。NEO Semiconductor社は、2012年に設立されたサンノゼに本社を置くシリコンバレーの企業です。これまでに20件以上のメモリ関連特許を取得しており、さらに特許取得を進めています。
大容量の高速ストレージが求められる時代において、5G や AI/ML などのアプリケーションで最大の改善が見られることから、X-NAND はストレージ容量とパフォーマンスを拡張するための最適な選択肢であると思われます。
NeoはX-NAND技術をベースにしたチップを製造しているわけではなく、メモリメーカー各社に独自のソリューションを開発するための設計図を提供しているに過ぎません。NEO Semiconductorは、Samsung、SK Hynix、Micronといった大手メモリメーカーにX-NAND IPのライセンス供与を行い、各社がIPを購入して自社製品に組み込むことを望んでいます。メモリメーカーは生産能力と新技術を市場に投入するだけの資金力を備えているため、X-NANDの市場普及が促進されるでしょう。
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