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Samsung の次期 280 層 QLC フラッシュは 16TB の M.2 SSD を可能にする可能性があり、最大 50% のストレージ容量増加を主張しています…
（画像提供：サムスン）
ComputerBaseによると、Samsungは次世代QLC NAND V9フラッシュソリューションの発表準備を進めており、28.5Gb/mm^2という驚異的な容量を実現しています。Samsungの新しいQLCフラッシュは、競合製品（QLCおよびTLC）よりも大幅に高密度化されており、これまででダントツの最高容量フラッシュソリューションとなっています。
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| 行0 - セル0 | ミクロン | サムスン | WD/キオクシア | SKハイニックス | YMTC |
| 発送中 | 232層QLC | 280層QLC | 162層QLC | 176層QLC | 232層QLC |
| 平方ミリメートルあたりの密度 | 19.5 Gb mm^2 | 28.5 Gb mm^2 | 13.86 Gb mm^2 | 14.40 Gb mm^2 | 20.62 Gb mm^2 |
| ダイ容量 | 1 TB | 1 TB | 1 TB | 512GB | 該当なし |
| 次世代（発売日） | ? | 2024年予測 | 212層（不明） | 238層（2024年） | 未知 |
Samsungの2022年のレポートによると、Samsungは基本的にQLC開発に全力を注いでいるとのことです。TLCフラッシュアーキテクチャは、生のストレージ容量の点で限界に達し始めており（以前のSLCやMLCと同様に）、QLCは、主流のコンシューマー向けSSDの容量限界を押し広げたいSSDメーカーにとって未来を象徴する存在です。将来的には、エンタープライズ向けSSDにも採用される可能性があります。V9は、SamsungのQLCロードマップにおける次のステップに過ぎません。将来の世代はV9よりもさらに高速になり、最終的には生の性能において、現在販売されているTLCフラッシュアーキテクチャと直接競合する可能性があります。
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