導入
Computexへの道はエンジニアリングサンプルで舗装されています。今後数日間は、JMicronとPhisonの新しいコントローラーのテストの様子をご覧いただけます。どちらも、市販製品ではまだ採用されていない最新のフラッシュ構成を採用しています。
まずJMicronは、Computexでパートナー各社から発表されると思われる構成の製品を3つ以上提供してきました。JMF670Hコントローラは1年前に台北で初公開されましたが、現在開発段階を終えようとしています。この4チャネルプロセッサは、低価格帯のメインストリームカテゴリーで、Silicon MotionのSM2246ENや、近日発売予定のSM2256コントローラ（後者はTom's Hardwareで数ヶ月前にプレビューされました）と競合することになります。Phisonも、既に出荷されているS8およびS9コントローラなど、このセグメントで代替製品を提供しています。
底辺への競争については既にお話ししました。主流市場は、生産量が多い市場です。NANDフラッシュはSSDの部品コストの大部分を占めるため、価格を下げるにはフラッシュメモリのコストを下げる必要があります。NANDはウェハから製造され、その価格は固定されています。フラッシュメモリを安価にするには、ウェハあたりのダイ数を増やす必要があります。これは大きな（あるいはこの場合は小さな）ジレンマを生み出します。製造プロセスを微細化すればするほど、フラッシュメモリセル間の絶縁性が低下し、耐久性とデータ保持に問題が生じます。
これらの問題を克服するには、より強力なエラー訂正能力に対応できる、より強力なコントローラが必要です。そのため、フラッシュメモリのコストが下がるにつれて、高度な（そしてますます高価な）プロセッサが必要になるという問題が発生しています。これはコストを増加させますが、最終的には、適正な価格を維持する負担が、巨大なフラッシュメモリ工場ではなく、コントローラベンダーに移ることになります。
SSDコントローラは、これまでソリッドステートストレージに関する当社の報道において常に大きな役割を果たしてきました。しかし、パフォーマンスだけでなく耐久性においても、その重要性は増していくでしょう。これまでは、フラッシュメモリを健全な状態に保つのは比較的容易でした。しかし、2Dプレーナーフラッシュは現在最終段階にあり、プログラム/消去サイクルは500回まで低下しています。NANDフラッシュメーカーは、この問題に2つの方法で対処しています。1つ目は、同じスペースにより多くのビットを詰め込む3Dセル構造です。サムスンはすでに、850 Proと850 EVOで3D V-NANDテクノロジを採用しています。IMFT（Intel Micron Flash Technology）は3D戦略を発表しましたが、製品が市場に投入されるまでにはしばらく時間がかかります。東芝とサンディスクの合弁企業であるFlash Forwardは、最近、3D NAND製品であるBiCSを発表しました。
ほとんどのフラッシュメーカーにとって3Dセル構造はまだ解決策の1つに過ぎないため、2D平面NANDの寿命を延ばすための対策が講じられました。擬似SLC（pSLC）は、これまで主流のSSDで大きな役割を果たしてきました。Samsungは2013年に840 EVOでTurboWriteを導入しました。SanDiskはTurboWriteに類似した技術をnCacheとしてリリースしました。
ほんの数週間前、IMFTはFortisFlashを発表しました。これは、かつてMLC+と呼ばれていたものの製品名です。FortisFlashは、CrucialのMX200やMicronのM600に搭載されているものと同じ16nmフラッシュメモリL95Bのコンポーネントです。Micronは、M600のpSLC機能を「ダイナミック・ライト・アクセラレーション」と表現していました。
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pSLC書き込みモードは通常、パフォーマンスの向上と関連付けられますが、この技術は耐久性の向上にも役立ちます。2D平面NANDの後期段階では、これは不可欠です。つまり、最新のフラッシュ技術を活用するには、企業はより高性能な新しいコントローラを必要としているということです。
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クリス・ラムザイヤーは、Tom's Hardwareのシニア寄稿編集者でした。彼はコンシューマー向けストレージのテストとレビューを担当していました。
