RambusのHBM2EメモリコントローラとPHYはチップメーカーにコスト効率の高い設計を提供

最新世代の高帯域幅メモリ、HBM2Eが間もなく登場します。SamsungがHBM2Eメモリスタックの量産を開始したことを受け、RambusはコントローラとPHY（物理インターフェース）の設計を発表しました。

先週発表されたRambusのコントローラとPHY設計は、JEDEC HBM2E規格に準拠した仕様を実現します。コントローラは最大12層の3D積層DRAMメモリをサポートします。HBM2Eの各層DRAMは最大24GBの容量に対応しており、個々のHBM2Eスタックはフルハイトで最大36GBの容量を実現します。

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同様に、インターフェースは 1,024 ビット幅を指定しており、3.2 Gbps のメモリ周波数と組み合わせると、合計 410 GBps のメモリ帯域幅になります。

Rambusの市場における立場は、IPライセンサーです。コントローラーやインターフェースを物理的に製造するのではなく、HBM2Eを自社のチップに統合したいチップメーカーに設計のライセンスを提供します。小規模メーカーにとって、HBM2Eコントローラーとインターフェース設計のライセンス供与は、自社設計の研究開発コストよりもはるかに費用対効果が高いと言えます。 

とはいえ、HBM2Eは依然として高価なメモリ製品です。最近のコンシューマーグレード製品のほとんどに搭載されているGDDR6ははるかに安価であり、今後も長きにわたって市場を席巻し続けるでしょう。 

HBM2E は、極めて高いメモリ帯域幅が必須で、GPU のボードスペースが限られている人工知能や高性能コンピューティング アプリケーションに最も大きな影響を与えると予想されています。