キオクシアは、サンディスクと提携し、国際固体回路会議（ISSCC）2025に合わせて行われたプレスリリースで、第10世代の3D NANDフラッシュメモリ技術を発表しました。この新しいフラッシュは、前世代と比較して最大33%のパフォーマンス向上と、ビット密度、インターフェース速度、電力効率の向上を実現します。
キオクシアの新しい3Dフラッシュメモリは、CMOSウェハとセルアレイウェハを別々に製造し、接合することで実現するCMOS Directly Bonded to Array（CBA）技術を採用しています。これはキオクシアの第8世代3D NAND製品にも採用されているため、目新しいものではありません。しかし、最大の注目点は、最大4.8Gb/sのNANDインターフェース速度を実現する新しいインターフェース規格「Toggle DDR6.0」です。
スワイプして水平にスクロールします
| ヘッダーセル - 列 0 | YMTC | YMTC | ミクロン | サムスン | WD/キオクシア | SKハイニックス | サンディスク/キオクシア |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
世代 | ? | Xtacking 3.0/第4世代 | 第9世代（G9） | V9 | ビCS8 | 第9世代 | 第10世代 |
レイヤー数 | 232層 | 232層 | 276層 | 290層（？） | 218層 | 321層 | 332層 |
平方ミリメートルあたりの密度 | >20 Gb mm^2 | 19.8 Gb mm^2 | 21.0 Gb mm^2 | 17 Gb mm^2 | 22.9 Gb mm^2 (?) | 20 mm^2 | 36.4 Gb mm^2(?) |
建築 | TLC | QLC | TLC | TLC | QLC | TLC | ? |
ダイ容量 | 1 TB | 1 TB | 1 TB | 1 TB | 2 TB | 1 TB | ? |
インターフェース速度 | ? | ? | 最大3600 MT/s | 最大3200 MT/s | 最大3600 MT/s | ? | 最大 4800 MT/s (?) |
次世代（発売日） | ? | Xtacking 4.0 (?) | （未知） | 3xx（不明） | ? | ? | ? |
Kioxiaが提供するデータから推測すると、ある程度の洞察が得られます。ビット密度が59%向上したことから、Gen 10の平方密度は36.2Gb/mm²と推定できます。バス幅が8ビットと仮定すると、4.8Gb/sのインターフェース速度は4800MT/sに換算できます。
最新版のNANDには、Power Isolated Low-Tapped Termination（PI-LTT）技術も搭載されており、入力電力を10%、出力電力を34%削減します。キオクシアは、電力効率への重点はAI技術の電力需要に応えたものだと説明しています。
キオクシアの最高技術責任者である宮島英志氏はプレスリリースで次のように述べています。「AI技術の普及により、生成されるデータ量は大幅に増加すると予測されており、現代のデータセンターでは電力効率の向上が求められています。」
Tom's Hardware の最高のニュースと詳細なレビューをあなたの受信箱に直接お届けします。
宮島氏はさらに、「SSDをはじめとする低消費電力製品」の需要が「AIの発展」の基盤となると説明した。
興味深いことに、キオクシアとサンディスクは第 9 世代 3D NAND フラッシュ テクノロジの計画も共有しましたが、その機能は第 10 世代製品ほど詳細には示されていません。
これを踏まえると、キオクシアとサンディスクが新規格の量産をいつ開始するかについては、現時点では何も示唆されていません。しかし、第9世代製品も発表されていることを考えると、第10世代が量産・販売されるにはまだ時間がかかると推測できます。
Sayem AhmedはTom's Hardwareの定期購読編集者です。CPU、GPU、その他半導体を搭載したあらゆるものを含む、新旧のハードウェアについて幅広く深く掘り下げた記事を執筆しています。
