Micron社は、最新プロセスノードのパイロット生産開始に伴い、DRAM製造ノードに先進的なEUVリソグラフィをついに導入しました。競合他社とは異なり、Micron社はDRAM製造へのEUVリソグラフィの導入を急いでいなかったため、業界で最後に最新技術を導入する企業となりました。Micron社は今年、1γ（1-ガンマ）製造プロセスを用いたDRAMメモリのパイロット生産を開始し、来年には量産（HVM）に入る予定です。
現在、Micronのメモリチップ製造プロセスは、DUVリソグラフィのみに依存しています。一方、SamsungとSK Hynixは、それぞれ約2億ドルかかる高価なEUVリソグラフィ装置に投資しており、これらの高価な装置は最終的にコスト削減につながります。Micronは、標準的なDUVマルチパターニング技術を用いることで、1αノードと1βノードにおいてコストと性能の両面で競争力のあるDRAMを開発してきましたが、EUVへの移行により、より新しいノードでの経済性が向上します。
マイクロンはEUVの使用に関してはサムスンやSKハイニックスにやや遅れをとるものの、同社のEUVの結果は非常に有望だと同社は述べている。「極端紫外線（EUV）リソグラフィーを使用した1γ（1-ガンマ）DRAMのパイロット生産は順調に進んでおり、2025年には量産開始する予定だ」とマイクロンの最高経営責任者サンジェイ・メロトラ氏は投資家や金融アナリストとの電話会議で述べた。
実のところ、MicronはASMLのTwinscan NXE EUVリソグラフィ装置をしばらく前から実験的に使用しています。同社は、1αノードと1βノードのDUVフローの一部をEUVフローに置き換え、適切な歩留まりが得られるよう段階的に調整することで、これらのツールをテストしてきました。現在、同社はEUVツールを用いた量産準備を開始できる十分な経験を積んでいます。
「当社は極端紫外線リソグラフィー（EUV）を用いた生産能力の成熟化を進めており、1αノードと1βノードにおいて、EUVフローと非EUVフローで同等の歩留まりと品質を実現しました」とメロトラ氏は3月に述べた。「EUVを用いた1γ（1ガンマ）DRAMのパイロット生産を開始しており、2025年の量産開始に向けて順調に進んでいます。」
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Micron は、EUV 対応の 1γ および 1δ (1-delta) 製造テクノロジーに加えて、今後数年間で 3D DRAM アーキテクチャや DRAM 製造における High-NA EUV の使用を検討しています。
アントン・シロフはTom's Hardwareの寄稿ライターです。過去数十年にわたり、CPUやGPUからスーパーコンピュータ、最新のプロセス技術や最新の製造ツールからハイテク業界のトレンドまで、あらゆる分野をカバーしてきました。
