インメモリコンピューティングは、次世代の低消費電力AI処理を実現する最も有望な技術の一つとして浮上しています。研究者たちは、利用可能なほとんどの種類の不揮発性メモリを用いてインメモリコンピューティング技術をテストしてきました。しかし、この用途に最も補完的なメモリ技術となる可能性のあるMRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）は、その低抵抗のために実用化されていませんでした。サムスンの研究者たちは、MRAMセルをベースにした新しい64×64クロスバーアレイを用いて、インメモリコンピューティング向けMRAMの実証に成功したと発表しました。
サムスン先端技術研究所（SAIT）のチームは、サムスン電子のファウンドリー事業および半導体研究開発センターと緊密に協力し、新しいMRAMソリューションを用いたテストを実施し、AIコンピューティング性能を確認しました。テストでは、新デバイスはAIコンピューティングにおいて良好な動作を示し、手書き数字の分類精度は98%、風景からの顔検出精度は93%を達成しました。
MRAMは、不揮発性、動作速度、耐久性、そして大量生産における経済性など、インメモリコンピューティングにとって非常に魅力的な特性を備えています。しかし、Samsungの研究者たちは、低抵抗がアーキテクチャに合致しなかったため、これまでMRAMの使用は実用的ではなかったと指摘しています。MRAM技術は決して新しいものではなく、Tom's Hardwareでは過去15年間にわたりその特徴と用途について幾度となく議論されてきました。実用的なMRAMの開発は1998年に本格的に開始されました。
この新しいMRAM技術の応用は、インメモリコンピューティングに利用できるだけでなく、生物学的ニューロンネットワークをダウンロードするためのプラットフォームとしても機能する可能性があると科学者たちは考えています。サムスンの研究者たちは、「インメモリコンピューティングは、脳におけるコンピューティングも生物学的記憶のネットワーク、つまりシナプス（ニューロン同士が接触する点）内で行われるという点で、脳と類似点があります」とコメントしています。
サムスンは、MRAMインメモリコンピューティングの成功を基盤に、メモリ技術とプロセッサ開発におけるリーダーシップを確固たるものにすべく前進する計画です。この種の技術がPC、タブレット、スマートフォンなどのコンシューマーデバイスに浸透するまでにどれくらいの時間がかかるかは、まだ分かりません。
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マーク・タイソンはトムズ・ハードウェアのニュース編集者です。ビジネスや半導体設計から、理性の限界に迫る製品まで、PCテクノロジーのあらゆる分野を網羅的にカバーすることに情熱を注いでいます。
