Xroads における Intel-Micron 3D XPoint

舞台は整った

ここ数週間、不揮発性メモリの動向は静穏です。Intel-Micronが7月下旬に3D XPointを発表したことで、Flash Memory Summitを前に様々な憶測と期待が巻き起こりました。FMSは憶測の温床となり、Intel Developer Forum（IDF）を前にさらなる期待が高まりました。IDFでは多くの話題が飛び交いましたが、目新しい情報はほとんどありませんでした。

3D XPoint が 2016 年以降のスライスされたパンになるだろうということは誰もが同意しているようですが、チャバッタの話なのかフォカッチャの話なのか (例えが間違っているので) は誰もわかっていないようです。

インテルは、NVMソリューショングループGMのロバート・クルーク氏とインテルフェローのアル・ファジオ氏をIDFのステージに招きました。二人は投げかけられた詳細な仕組みに関する質問をすべて巧みにかわし、一部の聴衆を明らかに困惑させました。インテルのメモリエコシステム担当ディレクター、ジェフ・フィンドリー氏は、聴衆に3D XPointについて質問し、自ら答えるという挑戦的な姿勢を見せました。プレゼンテーションのメモリに関する短い部分に触れた時、フィンドリー氏は半分身震いし、半分笑っていました。

Crooke氏と一対一で話す機会もありました。以下は、私たちが学んだこと、そして学べなかったことのまとめ、そして3D XPoint（3Dクロスポイントと発音）という単一のトピックを超えたちょっとした豆知識です。

これは、IntelとMicronの共同発表があった日に書いたオリジナルの記事です。当時、3D XPointの構造を学び、モデルを見て、説明を聞きました。簡単に言うと、3D XPointはNANDとDRAMの間にある中間ストレージ層で、NANDの1000倍の速度と耐久性、そしてDRAMの10倍の密度を誇ります。さらに、永続性があり、電源を切ってもデータが失われません。

FMSでは、実際に誰かが腕を使って3D XPointモデル（上の写真のもの）を再現し、パントマイムでソロツイスターを披露するのを目にしました。片方の腕はワードライン、もう片方の腕はビットライン、そしてプレゼンターは頭をメモリセルに見立てていました。お分かりいただけると思います（このような壮大なショーを撮影するカメラを用意する余裕はありませんでした）。

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IDFでは、Intelがステージ上に巨大な3Dモデルを展示しました。発表当時、Intelが20nmプロセスで128Gbのダイ密度を実現した最初の3D XPointイテレーションを開発中であり、当初は2層構造になることが明らかになりました。この技術は、層を積み重ねることでスケールアップし、最終的にはリソグラフィの微細化によって実現される可能性があります。