キオクシアとウエスタンデジタルが新しい162層NANDフラッシュメモリを開発

フラッシュ パートナーの Kioxia と Western Digital は今週、これまでに製造されたものよりもはるかに高速で高密度になると期待されるまったく新しい世代の 3D NAND フラッシュ メモリを発表しました。

ベンダーの発表によると、これらの機能強化により、読み出し性能、特に書き込み性能において優れた結果が得られました。「Circuit Under Array CMOS」配置と4プレーン動作の両方により、BiCS6 NANDフラッシュの書き込み速度は前世代機の約2.4倍になるとされています。BiCS5には4プレーン設計と2プレーン設計の両方がありますが、BiCS6では4プレーン設計のみを採用している点にご注意ください。 

BiCS6は1600MT/sで動作し、BiCS5の1066MT/sと比較してI/Oパフォーマンスが大幅に向上したと報告されています。これにより、MicronやSK Hynixといった競合ベンダー（同様に1600MT/sの速度を採用）と同等の性能を維持できます。

これはBiCS6の機能に関する発表に過ぎないため、いつ製品化されるかはまだ不明です。しかし、BiCS5と同じような内容であれば、この新技術を搭載した最高のSSDが登場するまでには、あと1年かかるでしょう。