サムスンはV-NANDについて、これまで以上に詳細な情報を公開しました。同社は第8世代V-NANDへの道筋を策定し、この技術を第10世代へと進化させる構想も持っています。いくつかの新しい製造技術の適用が必要ですが、それらに関する詳細な議論はこの記事の範囲を超えています。
とりあえず、来年発売される製品についてお話しましょう。サムスンの新キャンパスから発表される最大のニュースはQLCフラッシュです。サムスンの顧客はパフォーマンスと耐久性の仕様を定めており、それらのニーズが満たされていれば、基盤となる技術は問いません。サムスンは、第一世代のQLC（セルあたり4ビット）V-NAND技術で目標を達成できると述べています。
最初に発表された製品（製品番号はまだ未定）は、QLCテクノロジーを採用した1TBのダイサイズで128TBのSAS SSDです。同社はチップスタッキング技術を用いてパッケージあたり16個のダイを超え、フラッシュメモリ業界記録となる32個のダイを搭載する計画です。
QLC NANDはダイ単位ではTLCよりも低速ですが、これだけの並列化を実現すれば、予想よりもはるかに優れたパフォーマンスを発揮する可能性があります。サムスンは、QLCに期待される性能について、大容量という点以外、あまり詳細を明らかにしていません。
わずか2年前、同社はハードディスクドライブを上回る容量を実現する初のフラッシュベース製品を発表しました。1年後には、16TBの容量が32TBへと倍増しました。128TBへの飛躍は、フラッシュ技術の急速な進歩を物語っています。
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昨年、SamsungはIntelのOptaneに対抗する技術を発表しましたが、詳細は明らかにしませんでした。この技術は何らかの最適化されたSLC（シングルレベルセル）フラッシュを採用しているのではないかと推測していましたが、Samsungの最新情報によると、その推測は正しかったようです。本日一部の顧客に出荷されたZ-SSDはSZ985という名称ですが、800GBの使用可能容量を持つこの第一世代製品は、まもなく第二世代モデルに置き換えられる予定です。Z-SSDの次の飛躍は、Z-NAND技術を採用したMLC Z-NANDで、各セルにビットを追加し、全体の密度を向上させることです。ただし、どちらのZ-SSDもすぐにNeweggに登場するとは期待できません。
SamsungはFMS 2016で初めて次世代の小型フォームファクターについて発表し、「M.3」という用語も使用しました。Computexでは、SupermicroがM.3に該当する製品をバックステージで展示しましたが、どうやら誰もが面白がったわけではないようです。M.3はまだ正式な仕様ではないため、Samsungはこの用語の使用を控えています。
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製品名や仕様名をめぐる些細な論争は、サムスンが他社の求める機能の提供を阻むものではありません。現時点では、このタイプの製品の仮称は「次世代スモールフォームファクター」（NGSFF）です。（なんとも言いやすい名前ですよね？）
これらのドライブはM.2 SSDよりも少し幅が広いですが、ピン配置は同じで電気的に互換性があります。幅が広いため、企業はPCBの幅いっぱいに2つのNANDパッケージを配置でき、さらに大型のコントローラとDRAMのためのスペースを確保できます。2つを分離することで、960 Proに搭載されているようなマルチチップパッケージを使用するよりもコストを削減できます。この仕様はコンポーネントを片側だけに制限しないため、最大限の密度を達成するために活用できます。しかし、最大の特徴は、サーバーの動作を妨げることなくドライブを交換できることです。これはM.2が本来想定していなかったことです。
Samsungの新しいNGSFFを採用した最初の製品は、すべての新機能を活用し、ドライブあたり16TBという驚異的な容量を実現しています。私たちが視察したシステムでは、1U（1.75インチ）サーバーの前面に32台のNGSFFが搭載されていました。比較のために言うと、一部の企業は同じ221100フォームファクタ（幅22mm、長さ110mm）で4TBのM.2 SSDを出荷しています。つまり、新しいNGSFFは、エンタープライズ企業にポートあたりの容量を4倍に増加させます。
Samsung 970および980 NVMe SSDが近日登場
最後に最高の情報を残しておきました。Samsungは「980」や「970」NVMe SSDについて発表も口にすらしていませんが、UNH相互運用性研究所のリストで両方の情報を見つけました。私たちは通常、9月にSamsungの韓国オフィスを訪れ、市場に登場する新製品について情報を得ていますが、今年は960 EVOと960 Proの後継機について事前に情報が得られるかもしれません。
Samsungが多くの次世代コンシューマー製品に64層3ビット/セルV-NANDを採用したことで、EVO / Proの命名規則が変更される可能性があります。UNHIOLは、97xと98xという製品名で2つの新しいNVMe SSDをリストしています。ちなみに、960シリーズは昨年「96x」として登場しました。
サムスンがQLCフラッシュを年末までに製品に搭載できる状態になるとは考えていませんが、同社はこれまでも積極的な発売サイクルで私たちを驚かせてきました。これらの製品はいずれも、64層3ビット/セルV-NANDを搭載し、2017年後半に限定出荷され、2018年初頭には供給量が増えると予想されます。
クリス・ラムザイヤーは、Tom's Hardwareのシニア寄稿編集者でした。彼はコンシューマー向けストレージのテストとレビューを担当していました。
