Phison E12の初期数値と96層NANDへの道

私たちは、Flash Memory Summit の頃に Phison の次世代 SSD コントローラーについて書きましたが、今日は主力の NVMe モデルの初期パフォーマンスを見ることができます。

Phison社は、E12コントローラの積極的な発売スケジュールを達成できる見込みです。同社は2018年第1四半期にパートナー企業に実用的なシリコンを提供する予定であることが分かりました。現在、Phison社は東芝製64層BiCS FLASH向けにファームウェアを最適化していますが、これは複数世代にわたる製品であり、将来のフラッシュメモリにも対応します。96層BiCS FLASHについても、2018年末のリリースが予定されているという噂が広まりつつあります。また、東芝からはQLCについても噂が飛び交っています。E12は、東芝の次世代メモリと重なる予定です。96層QLCについては改めて触れますが、今年半ば、あるいはFlash Memory Summitは、企業にとってこの技術をベースにした製品のプレビューを行う良い機会となるでしょう。

昨夜、64層BiCS FLASHを搭載した、近日発売予定のPhison E7コントローラを初公開しました。Phisonのパフォーマンス数値は、Flash Memory Summitで発表した目標値を既に上回っています。この新コントローラは、あらゆるワークロードを難なく処理できます。さらなる最適化により、シーケンシャルリード3,500MB/秒、シーケンシャルライト3,200MB/秒の速度も実現する可能性があります。ランダムリード性能も、キュー深度1で60MB/秒に迫っています。4KB QD1のランダムリード性能は約15,000 IOPSで、これは数週間前にテストしたSamsung PM981に非常に近い値です。

十分な容量がなければ、これだけの性能も実質的には無駄になります。Phison社は、このコントローラーが最大8TBの3D NANDフラッシュで動作する可能性があると示唆しています。