DRAMを発明した電気工学およびコンピュータ工学のパイオニア、ロバート・ヒース・デナード氏が2024年4月23日に亡くなりました。この発明は、数十億台ものスマートフォン、コンピューター、その他の民生用電子機器の実現に貢献しました。彼はまた、ムーアの法則に基づくデナード・スケーリング理論の提唱者としても記憶されるでしょう。
デナードは1932年9月5日、テキサス州テレルに生まれました。電気のない農場で育ち、一教室の校舎に通いました。フレンチホルン奏者としての才能が認められ、南メソジスト大学で奨学金を得て、当時まだ黎明期にあった電気工学を学びました。
SMU卒業後、デナードはカーネギー工科大学（現カーネギーメロン大学）で電気工学の博士号取得を目指し、研究を続けました。1958年に博士号を取得し、IBMの研究員として働き始めました。彼はその後も、長く輝かしいキャリアをIBMで過ごしました。
集積回路は、テキサス・インスツルメンツ社のエンジニアによって実演されたばかりで、当時としては斬新で刺激的なものでした。研究分野と産業界の主な焦点は、コンピュータメモリとロジックの進化にあり、デナードは金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の設計と応用を深く研究するようになりました。
既存の磁気コアRAMのサイズと消費電力に不満を抱いたデナードとマイクロエレクトロニクスの専門家チームは、1964年に、わずか6個のMOSトランジスタで1ビットの情報を記憶できる代替システムを開発した。しかし、彼らはこの設計でさえ複雑すぎて速度が遅いと感じていた。
その時、デナードの頭の中にひらめきが訪れ、コンピューターに革命を起こしました。彼は、6個ではなく1個のトランジスタにビットの情報を保存する方法を研究し始めました。この洞察、調査、そして実験は、最終的にダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）の発明へと繋がりました。
発明家のデナードはDRAMの開発に留まりませんでした。1972年、デナードはコンピューターやその他の電子機器の小型化、高速化、効率化を年々実現してきた理論を提唱しました。この理論は、ムーアの法則に由来し、後にデナード・スケーリング、あるいはデナードの法則として知られるようになりました。
ムーアの法則によれば、一定のスペースに収容できるトランジスタの数は、約2年ごとに倍増します。デナードスケーリングによれば、1ワットあたりの性能はほぼ同じペースで向上します。つまり、トランジスタのサイズが縮小するにつれて、消費電力も減少します。
デナードは半世紀にわたるキャリアを通じて、数々の賞と表彰を受けました。1979年にはIBMフェローに選出され、1988年にはロナルド・レーガン大統領から米国国家技術賞を受賞しました。1997年には米国発明家殿堂入りを果たし、2009年にはIEEE名誉賞を受賞しました。
発明家デナードは最近、半導体業界最高の栄誉であるロバート・N・ノイス賞を受賞しました。2019年には、半導体工業会（SIA）からロバート・N・ノイス賞が授与されました。
デナード氏の遺族は、妻のジェーン・ブリッジズ氏と娘のエイミー・デナード氏とホリー・デナード氏です。また、4人の孫も残されています。息子のロバート・H・デナード・ジュニア氏は、デナード氏に先立って亡くなっています。デナード氏の生涯と功績を称える追悼式は、6月7日午後1時（東部時間）にニューヨーク州ヨークタウン・ハイツで執り行われます。
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ジェフ・バッツは10年以上にわたりテクノロジーニュースを取材しており、彼のIT経験はインターネット誕生以前から培われてきました。そう、彼は9600ボーが「高速」と呼ばれていた時代を今でも覚えています。特にDIYやメーカー関連の話題、そして最先端のテクノロジーに関する記事を好んで取り上げています。
