研究者らは1,100°F以上の温度でも機能するメモリを開発しました。不揮発性電気化学メモリは太陽系で最も高温の惑星でも機能します。

従来のDDRメモリは、特定の温度範囲（通常は100℃以下）で動作し、その温度範囲を超えるとデータ損失やサーマルスロットリングが発生する可能性があります。ミシガン大学の研究者たちは、文字通りDDRメモリとは正反対の動作をする新しいメモリアーキテクチャを開発しました。このアーキテクチャは、少なくとも華氏500度（摂氏250度）の動作範囲を持ち、華氏1,100度（摂氏600度）を超える温度でも動作可能です。

この型破りなメモリ設計は、バッテリーの特性を利用して、極めて高い温度でもデータを保存しています。データは、メモリ内部の2つの層（半導体タンタル酸化物と金属タンタル）の間を、負に帯電した酸素原子が移動することで保存されます。これらの酸素原子は、バリアのような働きをする固体電解質を介して、2つの異なるタンタル層間を移動します。固体電解質は、酸素原子が層間で跳ね返るのを防ぐ役割を果たします。