サンノゼに拠点を置くNEO Semiconductorは、3D X-DRAMを発表しました。この特許取得済みのDRAM技術は、「DRAMの容量ボトルネックを解消し、2D DRAM市場全体を置き換える」という野心的な目標を掲げています。同社のロードマップによると、3D NAND型DRAMセルアレイをDRAMに適用することで、2030年までに1テラビットのメモリICを実現できる見込みです。
1TBのICは、片面8チップの両面DIMMであれば比較的容易に2TBの容量を1枚のDIMMに搭載できることを意味します。32個のICを使用すれば4TBの容量も可能になります。もちろん、これはサーバー向けの容量であり、今後10年間で一般消費者が求める容量には及ばないでしょう。多くの消費者は依然として8GBまたは16GBで対応しています。なお、現在のメモリソリューションは、レジスタードDDR4サーバーソリューションの場合、32GbのICを32個使用することで、DIMMあたり128GBが上限となっています。現在入手可能なDDR5レジスタードDIMMは、最大64GB（16GbのICを32個使用）まで対応可能ですが、より大容量のモジュールも近々登場する予定です。
繰り返しますが、これはDRAMに関するものであり、フラッシュNANDのようなものではありません。しかし、NEO Semiconductorは、少なくとも3D NANDから何らかのインスピレーションを得て、3D X-DRAM技術を開発しました。この技術の特長は、容量増強という点にあり、「世界初の3D NANDライクなDRAMセルアレイ」を採用していると主張しています。ただし、重要な違いもあり、NEOは既に知的財産権を保護するために様々な特許を申請しています。
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マーク・タイソンはトムズ・ハードウェアのニュース編集者です。ビジネスや半導体設計から、理性の限界に迫る製品まで、PCテクノロジーのあらゆる分野を網羅的にカバーすることに情熱を注いでいます。
