インテルの18AとTSMCのN2プロセスノードの比較：インテルの方が高速だが、TSMCの方が高密度

TechInsightsとSemiWikiは、IntelとTSMCが国際電子デバイス会議（IEDM）で発表した、今後の18A（1.8nmクラス）およびN2（2nmクラス）プロセス技術に関する重要な詳細情報を公開しました。TechInsightsによると、Intelの18Aはより高い性能を提供する可能性があり、TSMCのN2はより高いトランジスタ密度を提供する可能性があるとのことです。 

TechInsightsのアナリストは、TSMCのN2は313MTr/mm^2という高密度（HD）標準セルトランジスタ密度を実現しており、これはIntelの18A（238MTr/mm^2）やSamsungのSF2/SF3P（231MTr/mm^2）のHDセル密度をはるかに上回ると予測しています。この情報は、18A、N2、N3のSRAMセルサイズ、そしてTSMCのN2とN3に関する予想とほぼ一致していますが、いくつか注目すべき点があります。 

電力効率に関しては、TechInsightsのアナリストは、TSMCが近年電力効率でリードしていることから、N2ベースのチップはSF2ベースの同等のICよりも消費電力が少ないと予測しています。Intelに関しては、まだ不透明ですが、少なくとも18Aの電力効率であれば、この分野で優位に立つでしょう。