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SK Hynix、GTCでGDDR6を展示
SK Hynixは、カリフォルニア州サンノゼで開催されるNVIDIAのGTCイベントで、次世代GDDR6メモリモジュールを展示します。メモリメーカーによると、GDDR6は384ビットI/Oバスと組み合わせた場合、16GbpsのI/Oデータレートと768GB/sの理論帯域幅で動作します。この新しいメモリ規格は、GDDR5と比較してピンあたりの帯域幅が2倍になり、消費電力は10%削減されます。NVIDIAの次期Volta GPUアーキテクチャに搭載されると予想されています。
SK Hynixは世界第2位のメモリチップメーカーであり、世界第5位の半導体企業です。ほんの数週間前、SK HynixのDRAM製品開発部門責任者であるジョンフン・オ上級副社長は、プレスリリースで次のように述べています。
「業界最速のGDDR6の導入により、SK Hynixは高品質・高性能のグラフィックスメモリソリューション市場に積極的に参入していきます。当社は、お客様のハイエンドグラフィックスカードの性能向上を支援していきます」と付け加えました。
SK Hynixによれば、同社は今後の市場の需要に対応するためにGDDR6を量産するために「コアグラフィックチップセットクライアント」と協力しているという。
これらの数値を比較すると、標準のGDDR5は8Gbpsのスループット、GDDR5Xメモリは最大12Gbps、GDDR6は最大16Gbpsの速度を実現します。GDDR5とGDDR6の比較表を以下に示します。
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行0 - セル0 | GDDR5 | GDDR6 |
密度 | 4GB~8GB | 8GB~16GB |
パッケージ | 170B (12x14) 0.8mmピッチ | 180B (12x14) 0.75mmピッチ |
バースト長 | 8ビット(DDR) | 16ビット(DDR/QDRはオプション) |
外部IO | X32(x16) | 2CH x32 (2CH x16 & PCモードx32) |
WCK粒度 | バイト | バイト/ワード(オプション) |
CHごとのプリフェッチ | 256ビット(32GBアクセス) | 256ビット(32B) |
WCKレート | 2f (DDR) | 4f (DDR) / 2f (QDR) |
ピンデータレート | 8Gbps(目標10Gbps) | 最大16Gbps |
IO | ポッド | ポッド |
電圧 | 1.5V(1.35V) | 1.35V |
VPP | - | 1.8V |
処方箋 | 単語あたりのCTLE | DQ あたり 1 タップ DFE |
CAトレーニング@SRF | いいえ | はい |
EDCレート | フル(0x83 72ビット) | フル / ハーフ (0x83 144ビット / 0x83 XOR) |
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