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SK Hynix、GTCでGDDR6を展示

SK Hynixは、カリフォルニア州サンノゼで開催されるNVIDIAのGTCイベントで、次世代GDDR6メモリモジュールを展示します。メモリメーカーによると、GDDR6は384ビットI/Oバスと組み合わせた場合、16GbpsのI/Oデータレートと768GB/sの理論帯域幅で動作します。この新しいメモリ規格は、GDDR5と比較してピンあたりの帯域幅が2倍になり、消費電力は10%削減されます。NVIDIAの次期Volta GPUアーキテクチャに搭載されると予想されています。

SK Hynixは世界第2位のメモリチップメーカーであり、世界第5位の半導体企業です。ほんの数週間前、SK HynixのDRAM製品開発部門責任者であるジョンフン・オ上級副社長は、プレスリリースで次のように述べています。

「業界最速のGDDR6の導入により、SK Hynixは高品質・高性能のグラフィックスメモリソリューション市場に積極的に参入していきます。当社は、お客様のハイエンドグラフィックスカードの性能向上を支援していきます」と付け加えました。

SK Hynixによれば、同社は今後の市場の需要に対応するためにGDDR6を量産するために「コアグラフィックチップセットクライアント」と協力しているという。

これらの数値を比較すると、標準のGDDR5は8Gbpsのスループット、GDDR5Xメモリは最大12Gbps、GDDR6は最大16Gbpsの速度を実現します。GDDR5とGDDR6の比較表を以下に示します。

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行0 - セル0GDDR5GDDR6
密度4GB~8GB8GB~16GB
パッケージ170B (12x14) 0.8mmピッチ180B (12x14) 0.75mmピッチ
バースト長8ビット(DDR)16ビット(DDR/QDRはオプション)
外部IOX32(x16)2CH x32 (2CH x16 & PCモードx32)
WCK粒度バイトバイト/ワード(オプション)
CHごとのプリフェッチ256ビット(32GBアクセス)256ビット(32B)
WCKレート2f (DDR)4f (DDR) / 2f (QDR)
ピンデータレート8Gbps(目標10Gbps)最大16Gbps
IOポッドポッド
電圧1.5V(1.35V)1.35V
VPP-1.8V
処方箋単語あたりのCTLEDQ あたり 1 タップ DFE
CAトレーニング@SRFいいえはい
EDCレートフル(0x83 72ビット)フル / ハーフ (0x83 144ビット / 0x83 XOR)

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